Надшвидкий стандарт заряджання GaN

Надшвидкий стандарт заряджання GaN

Переваги й особливості зарядних пристроїв на основі нітриду галію.

Показати все

GaN: особливості технології

Технологія GaN ґрунтується на нітриді галію, головна перевага якого перед крем­нієм – збільшена в кілька разів провідність електрики. Щоби зарядити улюблені гаджети, користувачі витрачатимуть менше часу. Крім того, безперечні плюси технології – це зменшений розмір зарядного пристрою та зниження втрати електрики під час заряджання до 20 %.

Завдяки зменшенню розміру пристрій GaN може вміщати «кілька зарядок» в одному корпусі. За меншого розміру вона видає більшу напругу. За тих самих умов у кремнієвих зарядках виникне сильне перегрівання, тож вони розплавляться. GaN-зарядка грітиметься, але в неї вища допустима температура й поріг максимального перегрівання. Наприклад, щоби зарядити MacBook Pro 15 дюймів із нуля до 50 %, знадобиться лише 60 хвилин. А швидке заряджання iPhone 8 або пізнішої версії з нуля до 50 % займає всього 30 хвилин (дані можуть відрізнятися за різних умов).

Джерела живлення для мобільних пристроїв

  • Швидке заряджання. Розширений асортимент із зарядними пристроями PD потужністю від 18 до 100 Вт.
  • Нова технологія: нітрид галію. Найкомпактніший у світі зарядний пристрій PD 60 Вт. Широкий асортимент пристроїв PD від 30 до 100 Вт.
  • Бездротові зарядні пристрої. Перше місце на ринку в Європі. Вироби з більш швидкою зарядкою та можливістю одночасного заряджання кількох пристроїв.

 

Belkin GAN 30W USB-С

Belkin GAN 60W USB-С

Belkin GAN (45 + 18 W) Dual USB-С

Belkin GAN (98W) USB-C + USB-A

Код товару

WCH001VFWH

WCH002VFWH

WCH003VFWH

WCH004VFWH

Потужність

30 Вт

60 Вт

63 Вт

98 Вт

Кількість портів

1хUSB (GaN 1×30 Вт USB-C)

1хUSB (GaN 1×60 Вт USB-C)

2хUSB (GaN 1×45 Вт / 1×18 Вт USB-C)

4хUSB (GaN 1×60 Вт / 1×18 Вт USB-C, 2×10 Вт USB-A)

comments powered by Disqus
 
Top