Массовое производство 3,2 ТБ SSD Samsung с интерфейсом NVMe на базе памяти 3D V-NAND для серверов

Массовое производство 3,2 ТБ SSD Samsung с интерфейсом NVMe на базе памяти 3D V-NAND для серверов

Компания Samsung объявила о старте массового производства твердотельных накопителей с интерфейсом NVMe объемом 3,2 ТБ на базе памяти 3D V-NAND, предназначенных для использования в высокопроизводительных корпоративных серверных системах hi-end сегмента

Компания Samsung объявила о старте массового производства твердотельных накопителей с интерфейсом NVMe объемом 3,2 ТБ на базе памяти 3D V-NAND, предназначенных для использования в высокопроизводительных корпоративных серверных системах hi-end сегмента.

В новом NVME PCIe SSD модели SM1715 используется стековая память собственной разработки Samsung для карт форм-фактора HHHL (half-height, half-length; половинная высота, половинная длина). Это позволило создать твердотельный накопитель объемом 3,2 ТБ, что вдвое больше предыдущего рекорда компании NVME SSD емкостью 1,6 ТБ.

Твердотельный накопитель SM1715 является усовершенствованной версией модели XS1715 с точки зрения производительности и надежности привода. Новый 3,2 ТБ NVMe SSD обеспечивает скорость последовательного чтения до 3000 МБ/с и скорость записи — до 2200 МБ/с. Показатели IOPS (числа операций со случайными блоками данных объемом 4 КБ) равны 750 тыс. и 130 тыс. для чтения и записи соответственно.

Кроме того, твердотельный накопитель SM1715 объемом 3,2 ГБ рассчитан на 10 полных циклов перезаписи ежедневно (DWPD) в течение пяти лет. SM1715 будет производиться в двух версиях: объемом 1,6 ТБ и 3,2 ТБ. А 2,5-дюймовая модель XS1715 с NVMe-интерфейсом также будет доступна в вариантах: с емкостью 800 ГБ и 1,6 ТБ.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top