384 ГБ внутренней памяти для смартфона - реальность

384 ГБ внутренней памяти для смартфона - реальность

Будущие смартфоны получат намного больше памяти благодаря Samsung

Будущие смартфоны получат намного больше памяти благодаря Samsung.

Компания заявила, что на этой неделе запущен в массовое производство первый в мире трехмерный накопитель (3D) Vertical NAND (V-NAND), которому нет конкурентов среди существующих NAND flash технологий.

Как заявляет 9to5Google, данная разработка даст возможность установить лишь один чип, который обеспечит до 384 ГБ внутренней памяти устройства. Такого количества гигабайт производитель добился благодаря наслаиванию 16 ГБ слоев друг на друга. При этом, в конечном итоге можно дойти до 24 слоев, что абсолютно не увеличивает толщину чипа.

 

Уже в сентябре у вас будет возможность посетить крупнейшую IT выставку в Киеве CEE 2013 в рамках которой компания Samsung представит свои новинки. Хотите получить бесплатный пригласительный и стать участником розыгрыша призов?

Система Orphus
comments powered by Disqus
  • S_R_S
    Вау! Это будет нечто! Вот сразу и отпадает вопрос с картами памяти. На таких телефонах уже можно будет хранить абсолютно все)
 
Top