Энергоэкономия сквозь 3D кремний.

Энергоэкономия сквозь 3D кремний.

Официальным пресс-релизом южнокорейская компания Samsung Electronics отрекомендовала новейшие самые емкие в мире модули оперативной памяти RDIMM с микросхемами Green DDR3 DRAM.

Они на 70% быстрее и на 40% экономичнее по потреблению в сравнении с традиционной памятью. Основные заказчики Samsung успешно протестировали их и наградили выдающимися показателями энергопотребления.

По сравнению с другими модулями, сильно снижает энергопотребление использование вышеупомянутых микросхем повышенной плотности. А главный секрет: применение технологии  3D TSV.

На первый взгляд, аббревиатура 3D-TSV кажется «стереотелевизионной». Однако это не так. Вторая часть сокращения, «through-silicon vias» - «связь сквозь кремний»,  означает сквозные соединения кристаллов памяти, упакованных в столбик (3D). Имя TSV технология получила стараниями компании IBM и означает лицензионную зависимость южнокорейского гиганта от американского разработчика.

TVS- выгодная альтернатива обычным упаковкам с проводными соединениями. Последние значительно увеличивают площадь микросхем, так как вокруг кристаллов приходится оставлять большую область для разводки соединений. Тогда как технология TSV опирается на сквозное лазерное сверление кристаллов с последующим заполнением отверстий медью. Уменьшаются не только размеры микросхем, но и длина соединений. Это благоприятно сказывается на производительности и потреблении.

Чипы памяти в 3D-упаковке с проводными межкристальными соединениями работают на частоте 800 Мбит/с. Те же кристаллы со сквозными TSV - легко преодолевают планку 1333 Мбит/с.

Большой минус – эта технология далека от повсеместного применения. Попрактиковаться смогут только пользователи серверных систем. Главный плюс – полностью решается дилемма, связанная с необходимостью увеличения объема памяти при одновременном снижении энергопотребления. Повышение плотности компенсирует уменьшение слотов для модулей памяти. Даже с учетом сокращения на 30%, технология TSV позволит нарастить объем памяти более чем на 50%.

TVS - критически важная технология для дальнейшего развития полупроводниковых изделий. На данный момент ее внедрение сдерживается отсутствием комплексных решений, предлагаемых производителями оборудования, которые могли бы проложить дорогу TSV в серийное производство.

Компания ожидает серийное распространение технологии 3D TSV в 2012 году.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top