128 Гб серверные модули оперативной памяти DDR4

128 Гб серверные модули оперативной памяти DDR4

Компания Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии модулей памяти DDR4 ёмкостью 128 Гб с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов кремния (TSV), предназначенных для корпоративных серверов и дата-центров.

Вслед за представлением первого в мире модуля памяти DDR4 (64 Гб) с использованием технологии трехмерного (3D) сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) в 2014 году, компания презентовала новые модули регистровой памяти с двухрядным расположением выводов (RDIMM) на основе технологии TSV. Новые модули памяти DDR4 с использованием технологии TSV от Samsung предлагают наибольшую ёмкость и наивысшую энергоэффективность в сравнении с любыми модулями DRAM, доступными на рынке сегодня.

128 Гб чип памяти DDR4 с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) и двухрядным расположением выводов (RDIMM) состоит из 144 чипов DDR4, объединённых в 36 блоков по 4 ГБ, в каждом из которых находятся четыре 8-гигабайтных чипа, выполненные по 20-нанометровой техпроцессу с применением TSV.

Блоки обычного чипа реализуют стек посредством проводного соединения, тогда как в блоках с использованием технологии сквозного вертикального соединения (TSV) кристаллы кремния стачиваются до толщины в несколько микронов, после чего в них проделываются сотни мельчайших отверстий. Через них пропускаются электроды, благодаря чему достигается значительное улучшение передачи сигнала. Вдобавок к совмещению наибольшей в индустрии ёмкости и усовершенствованной схемы сквозного вертикального соединения кристаллов, новый модуль памяти DDR4 TSV от Samsung объемом 128 ГБ также имеет усовершенствованную конструкцию: мастер-чип каждого блока внедряет функцию буфера данных, что позволяет оптимизировать производительность модуля и улучшить энергопотребление.

Как результат, 128-гигабайтный чип памяти DDR4 с использованием технологии TSV и двухрядным расположением выводов (RDIMM) от Samsung обеспечивает практически двукратное увеличение производительности и 50-процентное уменьшение энергопотребления для серверов нового поколения (до 2400 мегабит в секунду) в сравнении с предыдущим поколением модулей DRAM. Последние представлены модулями с двухрядным расположением выводов и сниженной нагрузкой ёмкостью 64 ГБ, скорость и мощность которых были ограничены из-за использования обычного проводного соединения.

Samsung реагирует на рост спроса на модули DRAM ультра-высокой ёмкости путём увеличения темпов внедрения технологии TSV и производства 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти, выполненных по 20-нанометровому техпроцессу. Линейки новых высокопроизводительных модулей DRAM TSV, в том числе и модуль LRDIMMs на 128 ГБ, будут доступны в течение ближайших нескольких недель, что подтверждает лидирующие позиции и расширение рынка премиальных решений от компании Samsung.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top