12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4

12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 на базе 20-нанометрового технологического процесса.

Samsung LPDDR4 емкостью 12 Гбит отличается улучшенной пропускной способностью и наивысшей скоростью работы, доступной на рынке чипов DRAM-памяти. Новый 20-нм LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает более 30% выше производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Новый чип также работает в два раза быстрее, чем DRAM DDR4 для ПК и потребляет на 20 % меньше энергии. Кроме того, благодаря тому, что производительность 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 выросла более чем на 50% по сравнению с поколением 8-гигабитных LPDDR4 чипов класса 20-нм, они будут использоваться в индустрии флагманских мобильных устройств.

12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет использовать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в одном устройстве, используя всего 2 и 4 микросхемы соответственно. Таким образом, новый чип – единственное решение на рынке, которое предлагает 6 ГБ DRAM-памяти и поэтому позволит потребителям наслаждаться многозадачностью и максимальной производительностью в работе с последними версиями операционной системы. 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top