IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов

IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов

IBM могут продать свои производственные мощности GlobalFoundries, но компания по-прежнему остается активной в сфере исследования и разработки полупроводников. На днях фирма объявила о создании первого тестового процессора с 7-нанометровым узлом. Новые чипы созданы в сотрудничестве с GlobalFoundries, Samsung и Политехническим институтом при Университете штата Нью-Йорк. Это не просто первые 7-нм чипы, но и первые компоненты, для производства которых использовалась фотолитография в глубоком ультрафиолете и кремний-германий (SiGe).

IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов

Давайте рассмотрим изобретение более подробно. IBM сообщили, что 7-нм процесс использует 30-нм шаг ребра (fin pitch). Ниже можно увидеть сравнение с процессами Intel, TSMC, Samsung.

IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов

Шаг ребра 30 нм дает IBM существенное преимущество перед другими методами производства, хотя разница между компаниями показывает, что не существует единственного измерения размера шага. Например, не ясно, будет ли набор IBM 30 х 7 нм меньше, чем возможный узел Intel в аналогичном процессе. IBM утверждают, что 7 нм на 50% сделает расположение транзисторов на плате на 50% компактней по сравнению с 10 нм и, по крайней мере, на 50% улучшит питание/производительность в «следующем поколении систем».
Решение IBM переключиться на соединение кремния и германия также очень интересно. Так как узлы становятся всё меньше, кремния уже недостаточно для улучшений производительности, задуманных такими компаниями как IBM и Intel. Новые материалы нужны для каналов n и p, а кремний-германий (SiGe) является популярным вариантом для р-канала.

IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов
План IBM для 14, 10 и 7 нм

IBM утверждают, что в новых чипах фотолитография в глубоком ультрафиолете (EUV) использовалась на нескольких уровнях, что само по себе инновация.

IBM объявили о создании первых образцов 7-нанометровых чипов

Учитывая, что ожидаемая дата дебюта EUV перенеслась почти на десять лет, сложно поверить, что эта технология в полной мере использовалась для создания 7-нм чипов. График выше показывает потенциальные преимущества EUV – она позволяет производителям избежать проблем с двойным наложением и создать гораздо более чистый конечный продукт. До введения технологии в серийное производство еще минимум несколько лет. Так как 14-нм продукты дебютировали в этом году, а 10-нм компоненты Intel, скорее всего, будут отложены, вряд ли 7 нм порадует нас раньше  2019-2020 года.
Особенно удивляет то, как IBM резко опередили свой график. Сейчас топовые чипы IBM основываются на архитектуре POWER8 и собираются на 22-нм процессе. POWER9, как ожидается, дебютирует в суперкомпьютерах ближе к 2017 году, что предполагает использование 14- или 10-нанометровой технологии. Если IBM последуют по типичному пути, то POWER8+ будет сделан на 14-нм, а затем уже появится POWER9 с 10-нм узлами. Таким образом, 7 нанометров будут подготовлены для POWER9 + POWER10.
Очень похвально, что IBM смогли создать тестовый образец нового кремния, а особенно, использующий новую фотолитографию, SiGe и шаг ребра 30 нм, но это не то же самое, что объявление о выходе новинки. Им предстоит еще много работы, особенно с EUV, но они сделали первый шаг и он очень убедителен.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top