Транзистор толщиной в три атома позволит создавать ультратонкую электронику

Транзистор толщиной в три атома позволит создавать ультратонкую электронику

Исследователи из Университета Корнелла объявили об инновационной технологии транзисторов в последнем номере журнала Nature. Как сообщается, команда разработала новый эффективный способ получения экспериментального материала, известного как дихалькогенид проводного металла (TMD). Этот металл является чрезвычайно тонким, но при этом обладает чрезвычайно высокой проводимостью. Пленка такого металла может найти свое применение в высокотехнологичных сферах – от солнечных батарей до носимых гаджетов. Единственным его недостатком является сложность производства. По крайней мере, так было раньше.

«Наша работа позволяет получать TMD в производственных масштабах», говорит Сайен Ксие, один из ведущих авторов исследования. Новые материалы, как и графен, могут помочь продлить закон Мура, обеспечивая стабильную и компактный основу, на которой инженеры могут размещать большее количество схем. Однако, так как толщина TMD составляет всего 3 атома, его производство часто страдает от высокого уровня поломок. Новый метод Университета Корнелла смешивает диметилсульфид и гексакарбонил металла на поверхности кремниевой пластины, а затем обрабатывает их в течение 26 часов в водороде.

Из 200 пластин, произведенных в процессе исследования, только две оказались бракованными. Исследователи надеются, что в будущем они еще больше упростят производственный процесс и улучшат качество получаемых пластин. Этой технологии потребуется еще как минимум несколько лет, чтобы стать коммерчески жизнеспособным, но, когда он станет реальным, мы сможем получить супермощную электронику толщиной с лист бумаги.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top