Samsung представил новую линейку SSD 850 EVO c 3-битными чипами флеш-памяти V-NAND

Samsung представил новую линейку SSD 850 EVO c 3-битными чипами флеш-памяти V-NAND

Компания Samsung представила новую линейку твердотельных накопителей 850 EVO, которая пополнила существующий модельный ряд SSD компании. Накопители, которые созданы на базе технологии флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками, обеспечивают значительный прирост производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением. Новые SSD 850 EVO поступят в продажу в 53 странах мира, включая США, Европу и Азию, начиная с декабря 2014 года

В отличие от  моделей 850 Pro для высокопроизводительных клиентских ПК и малых и средних корпоративных серверов, в которых используется флеш-память 3D Vertical NAND с 2-битными ячейками, в новых твердотельных накопителях 850 EVO используется память стандарта 3D V-NAND с 3-битными ячейками. Это делает их наиболее подходящими для использования в обычных потребительских устройствах, таких как ноутбук или игровой ПК.

Накопители Samsung 850 Evo будут поставляться в четырех вариантах объема памяти: 1 ТБ, 500 ГБ, 250 ГБ и 120 ГБ. Новинки имеют следующие показатели производительности: 540 Мбайт/с в режиме последовательного чтения и 520 Мбайт/с в режиме записи. Благодаря наличию технологии Samsung TurboWrite, модель 850 EVO с объемом памяти 1 ТБ демонстрирует производительность при произвольной записи 90 тыс IOPS, что позволяет быстро сохранять большие объемы данных. Кроме того, накопители отличаются высокой надежностью, к примеру в моделях с объемом памяти 500 ГБ и 1 ТБ рассчитаны на 80 ГБ перезаписи ежедневно (DWPD) в течение пяти лет. 

В следующем году Samsung планирует представить расширенную линейку SSD 850 EVO на базе 3-битной технологии V-NAND в форм-факторах mSATA и M.2.

Система Orphus
comments powered by Disqus
 
Top